高普考(高考)
電信工程
課程資訊
課程介紹
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高考電信工程 |
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等級 |
初任各官等職務人員， |
薪資給與 |
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俸額 |
專業加給 |
合計 |
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高考三等/特考三等 |
敘委任第五職等本俸五級 |
24,440元 |
18,910元 |
43,350元 |
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敘薦任第六職等本俸一級 |
25,435元 |
20,790元 |
46,225元 |
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報名人數 |
全到人數 |
到考率 |
需用人數 |
錄取人數 |
正額人數 |
增額人數 |
錄取標準 |
錄取率 |
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101年 |
147 |
80 |
54.42 |
4 |
6 |
4 |
2 |
60.30 |
7.50 |
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100年 |
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99年 |
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98年 |
65 |
29 |
44.62 |
2 |
3 |
2 |
1 |
52.87 |
10.34 |
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97年 |
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分發單位 |
本 職系之職務，係基於電信工程之知能，對頻譜規劃、頻率之分配、干擾、協調與調整、電波監測、射頻器材管制、有線、無線電、光電通信、廣播與電視系統之工程 分析、預測、規劃、設計與技術監理、電信設備之查核、審驗與技術監理、電信業務編碼、電信技術規範之訂定與審議、網際網路之監理及電信技術研究發展等，從 事計畫、研究、擬議、審核、督導及執行等工作。 |
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工作性質 |
經濟部智慧財產局、內政部警政署、國立空中大學、、各縣市政府、各鄉鎮區公所。 |
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電信工程 |
投考組合 |
備註(需多準備的科目) |
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調查局特考三等(電子科學組) |
無 |
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一般警察特考三等(交通警察人員電訊組) |
無 |
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關務特考四等(電機工程) |
電工機械概要 |
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地特三等(電信工程) |
無 |
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經濟部所屬事業機構 |
無 |
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中華電信專業職(四) |
無 |
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普考/地特四等 |
無 |
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101-102年度 電子學 課程綱要
第一章 半導體與PN接面
1-1原子與能帶觀念
1-1-1 原子概念
1-1-2波耳單原子行星模型
1-1-3 價電子
1-1-4 離子化
1-1-5 共價鍵
1-1-6能階語能帶
1-2 半導體材料
1-2-1 能隙差異語導電性
1-2-2半導體導電原理
1-2-3 電子流與電洞流
1-2-4 半導體電流種類
1-2-4.1 半導體內總電流與內建電場
1-2-5 本質半導體
1-2-6 雜質半導體(外質半導體)
1-2-6.1 N型半導體
1-2-6.2 P型半導體
1-2-7 本質、雜質半導體與溫度影響
1-3 P-N Junction
1-3-1開路時的P-N Junction
1-3-2 逆偏時的P-N Junction
1-3-3 順偏時的P-N Junction
第二章 Diode
2-1 二極體端點特性
2-1-1 二極體端電壓與電流特性
2-1-2 順偏特性
2-1-3 逆偏特性
2-1-4 崩潰特性
2-2 二極體電路分析與模型
2-2-1精確解(圖形解)
2-2-2 理想模型
2-2-3 定電壓降模型
2-2-4 片段線性模型
2-2-5 二極體-電阻電路
2-3 二極體應用電路
2-3-1 整流(Rectifier)電路
2-3-1.1 半波整流
2-3-1.2 全波整流
2-3-2 濾波(Filter)電路
2-3-2.1 峰值檢波器
2-3-2.2 半波濾波
2-3-2.3 全波濾波
2-3-3 限壓(Limiting)電路
2-3-4 箝位(Clamping)電路
2-3-5倍壓(Voltaga Double)電路
2-4 二極體小訊號分析
2-5 二極體暫態切換
2-6齊納二極體穩壓電路
2-7 特殊二極體
第三章 BJT(Bipolar Junction Transistor)
3-1 元件構造與物理操作
3-1-1 npn電晶體元件構造與符號
3-1-2 pnp電晶體元件構造與符號
3-1-3 操作模式與工作區域特性
3-1-3.1 截止區分析(無電流)
3-1-3.2 主動區分析(有電流，電流成比例)
3-1-3.3 飽和區分析(有電流，電流無比利)
3-2 電流-電壓特性
3-2-1 npn電晶體的ic-vbe特性曲線
3-2-2 npn電晶體的ic-vce特性曲線
3-2-3 Early Effect(爾利效應)
3-3 訊號放大器與開關應用
3-3-1 開關應用(數位)
3-3-2 訊號放大器(類比)
3-4 BJT放大器直流分析
3-4-1 固定偏壓
3-4-2 分壓式偏壓
3-4-3 集極回授偏壓
3-4-4 電流源偏壓
3-5 電子學四種基本放大器
3-5-1 電壓放大器
3-5-2電流放大器
3-5-3 輔導放大器
3-5-4 轉阻放大器
3-6 BJT 放大器小訊號(交流)分析
3-6-1電子學電路全解=直流解+小訊號解
3-6-2 BJT小訊號参數與模型
3-6-2.1 BJT小訊號3兄弟
3-6-2.2 Early Effect小訊號電阻
3-6-2.3 h参數與BJT小訊號等效電路
3-6-3 電流狂噴法
3-6-4 CE(共射極)放大器
3-6-5 CB(共基極)放大器
3-6-6 CC(共集極)放大器
3-6-7 BJT三種放大器特性比較
第四章 FET
4-1 FET種類
4-2增強型-MOSFET
4-2-1 E-NMOS 結構與操作原理
4-2-1.1 通道形成與電流形成
4-2-1.2 特性曲線與各區特性分析
4-2-2 E-PMOS結構與操作原理
4-2-2.1通道形成與電流形成
4-2-2.2特性曲線與各區特性分析
4-2-3 FET半導體高階效應
4-2-3.1 通道長度調變
4-2-3.2 本體效應與CMOS製造技術
4-3 空乏型-MOSFET
4-3-1 D_NMOS結構與操作原理
4-3-1.1通道控制與電流形成
4-3-1.2特性曲線與各區特性分析
4-3-2 D_PMOS結構與操作原理
4-3-2.1通道控制與電流形成
4-3-2.2特性曲線與各區特性分析
4-4 JEFT
4-4-1 JEFT_N結構與操作原理
4-4-1.1通道形成與電流形成
4-4-1.2特性曲線與各區特性分析
4-4-2 JEFT_P結構與操作原理
4-4-2.1通道形成與電流形成
4-4-2.2特性曲線與各區特性分析
4-5 功率FET
4-6 FET直流分析
4-7 FET小訊號分析
4-7-1 FET小訊號参數
4-7-2 FET小訊號模型
4-7-3 電流狂噴法
4-7-4 共源極(CS)放大器
4-7-5 共閘極(CG)放大器
4-7-6共汲極(CD)放大器
4-8 FET與BJT特性比較
4-9 FET量測與其他
第五章 多級放大器
5-1 多級放大器總增益
5-2多級放大器四種耦合方式
5-3 多級放大器分析
5-3-1 多級放大器的用意
5-3-2 達靈頓電路
5-3-3疊接、串接放大器
第六章 差動放大器
6-1 BJT差動對分析
6-1-1 大差模分析
6-1-2 共模分析
6-1-3 小差模分析
6-1-4 共模拒斥比(CMRR)
6-1-5 直流偏差
6-2 FET差動對分析
6-2-1 大差模分析
6-2-2 共模分析
6-2-3 小差模分析
6-2-4 共模拒斥比(CMRR)
6-2-5 直流偏差
第七章 積體電路放大器
7-1 積體電路常用主動負載
7-2 BJT電流鏡
7-2-1 基本型電流鏡
7-2-2 基極補償電流鏡
7-2-3 疊接電流鏡
7-2-4 Wilson電流鏡
7-2-5 Widlar電流鏡
7-3 FET電流鏡
7-3-1 基本型電流鏡
7-3-2 疊接電流鏡
7-3-3 Wilson電流鏡
7-3-4 改良型Widlar電流鏡
7-4 BJT積體電路放大器
7-4-1 主動負載單級放大器
7-4-2主動負載差動放大器
7-4-3 直流偏差
7-5 FET積體電路放大器
7-5-1 主動負載單級放大器
7-5-2主動負載差動放大器
7-5-3 直流偏差
第八章 頻率響應
8-1 轉移函數
8-2 波德圖
8-3 單一時間常數電路
8-4 單級放大器低頻響應
8-4-1 CE and CS低頻響應
8-4-2 CC and CD低頻響應
8-4-3 CB and CG低頻響應
8-5 單級放大器高頻響應
8-5-1 CE and CS低頻響應
8-5-2 CC and CD低頻響應
8-5-3 CB and CG低頻響應
8-6 串接、疊接放大器響應
8-7 多級放大器頻響
8-8 四種耦和方式頻響
8-9 差動放大器頻響
101年計算機概論課程綱要
(1).向量分析
(2).曲線坐標
(3).庫倫力及電場強度
(4).電通量密度及高斯定律
(5).電能和電位
(6).導體和電介質
(7).電介質
(8).電容
(9).泊松和拉普拉斯方程式
(10).虛位移法與影像法
(11).靜磁場
(12).旋度與斯托克斯定理
(13).磁力 /材料和電感
(14).磁化強度/磁場邊界條件與磁路
(15).電感和互感
(16).時變場和麥克斯韋方程組
(17).均勻平面波
(18).有限傳導的導體與坡印延向量
(19).都卜勒效應/電磁波極化與群速
(20).影像法與例題